Les Kirin de Huawei sont-il intéressants pour le futur Nexus de Google ?

Les rumeurs se multiplient autour du futur Nexus 2015. Au début du mois, on apprenait que Google pourrait choisir LG ainsi que Huawei pour la fabrication du Nexus de cette année. Selon des rumeurs plus récentes, le futur Nexus pourrait même intégrer un SoC Kirin de la filiale HiSilicon de Huawei. Et justement, une fuite viendrait tout juste de dévoiler les futurs SoC de l’entreprise.

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Un Nexus 2015 fabriqué par Huawei a-t-il sens ? Sans autre information en main, pas vraiment puisque Google n’a jamais été partenaire de ce constructeur chinois pour la fabrication d’un appareil Nexus. Mais en y réfléchissant un peu plus, Google aurait quelques intérêts à se rapprocher de Huawei pour son futur Nexus. Chaque appareil Nexus est censé représenter l’état de l’art en terme technique. À chaque fois, les terminaux intègrent les SoC les plus puissants du marché pour tenter de pousser l’écosystème Android vers l’avant au niveau matériel. De cette manière, les développeurs disposent d’un parc de terminaux mobiles plus performants, leur permettant de proposer des logiciels et des jeux plus évolués. Et justement, Huawei pourrait avoir une solution intéressante pour Google.

16nm FinFET : la force de HiSilicon

HiSilicon est une filiale de Huawei qui conçoit des SoC mobiles. On connaît notamment l’actuel Kirin 925 du Huawei Ascend Mate 7 ou le Kirin 930 de la MediaPad X2 annoncée lors du MWC de Barcelone. Ce dernier SoC est très intéressant. Pas vraiment du point de vue des performances pures. Certes, les 4 Cortex-A57 sont cadencés à 2 GHz et accompagnés de quatre Cortex-A53 cadencés à 1,5 GHz mais la partie graphique et la mémoire vive sont en retrait. Il faut se contenter d’un Mali-T628 MP4 et de LPDDR3-1600 en guise de RAM. On est donc loin d’un Snapdragon 810 de Qualcomm ou d’un Samsung Exynos 7420. Mais le Kirin 930 est gravé en 16nm FinFET contre 20nm pour le Snapdragon 810 et 28nm pour le Kirin 925 ou les SoC MediaTek. Seul l’Exynos 7420 est au même niveau avec sa gravure en 14nm FinFET qui équivaut au 16nm de TSMC utilisé par HiSilicon.

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